霍尔效应—材料电传导特性测量
一.实验目的
详见预习报告
二. 实验原理
详见预习报告
三.实验步骤与数据记录
仪器型号: DHD8012型程控换相电源 CVM-2000型电输运性质测试仪
1.按实验装置图检查测试系统各组件和连线;
2. 打开电特性测试仪开关,预热半小时;打开励磁电源开关,预热半小时;并将励磁电源设置为自动扫描;
3. 测量电磁铁的磁场与励磁电流的关系
(1)将恒流源的电流端和微伏表上的霍尔电压测试端与霍尔元件上的相应端点连接。设置恒流源的输出电流IS分别为3mA,2mA,1mA,然后将励磁电流Im通过计算机调整到5A,按步长0.5A将电流减小到0,换向后反方向增加到-5A。测出每一点霍尔器件输出的霍尔电压;
(2)由公式, 计算不同励磁电流对应的磁场值,并绘出B—Im曲线(霍尔元件的性能参数);
(3)所记录的数据如下表:
表1.测量磁场电流与电磁铁磁场的关系
图1.励磁电流Im与磁场B关系图
用MATLAB拟合曲线得关系式为B = -946.6*Im -250;
R-square:1; Adjusted R-square:1; RMSE:9.768
4. 测量半导体样品的电阻率、霍尔系数,确定半导体样品中的载流子浓度和迁移率
锑化铟样品薄膜厚度d=0.47mm
(1)样品电阻率的测量:不加磁场而通以正电流,给AB和AD通以恒定电流I,测量VDC(+I)和VBC(+I);改变电流方向测量VDC(-I)和VBC(-I);由上述数据,据式可获得半导体样品的平均电阻率ρ;
所记录数据如下:
①I从A→B (V1),I=10mA,测得VDC = 0.122mV; I=-10mA,测得VDC’= -0.112mV;
②I从A→D (V2),I=10mA,测得VBC = 0.129mV; I=-10mA,测得VBC’= -0.119mV;
① , (用MATLAB计算), 12.64*
② , (用MATLAB计算), 22.64*
(2)霍尔电压的测量:固定磁场大小(通过调节励磁电流大小,并考虑电磁铁磁芯的剩磁),选取恒流源电流的大小,分别改变电流和磁场的方向,利用得到所用半导体样品的霍尔电压值,求出霍尔系数;在此基础上,改变恒流电源电流大小,测量5个点,取平均值。
所记录数据如下:
Im = 4.500A
表2. 恒流源电流与霍尔电压关系表
,
由关系式B = - 946.6*Im -250知,当Im = 4.500A时,B = -4509.7Gs; d=0.47mm
RB平均值 = 1.397*10-8 m3/c
判断得出载流子为负电荷;
,q=1.602*10-19c, n = 4.468*1026m-3,即为载流子浓度;
5.测量铁磁金属薄膜材料的反常霍尔效应;在此基础上,得到该铁磁导体样品的矫顽力
(1)把铁磁薄膜材料样品连好,打开电脑,执行程序HALL.exe;
(2)计算机将完成数据的采集工作,并将所测铁磁性薄膜样品的磁滞回线画出。根据所测样品的磁滞回线,判断其磁各向异性方向并计算出材料的矫顽力;
所测数据用ORIGIN画出的图形如下:
图2.磁性薄膜的反常霍尔效应曲线
先画一条直线H=0,与磁滞回线相交于两点,求出这两点纵坐标的中点Mo; 画出M = Mo,与磁滞回线相交于H1和H2,两者绝对值取平均,就是矫顽力。最后求得其矫顽力3710Gs,磁化方向垂直膜面。
四.实验分析与讨论
1.电流较小,观察到磁场电流绝对值相同时,在同一励磁电流下,正向磁场电流比反向磁场电流对应的磁场绝对值大,为电磁铁铁芯存在剩磁的缘故;
2.测量霍尔电压时采用,用此方法可以消除除了爱廷豪森效应以外的其他几个附加电势差—能斯特效应、里纪勒杜克效应等,因为爱森豪廷效应所引起的误差约为5%,所以可以认为上述结果就是霍尔电压。实验中,第二步和第三步改变电流方向时,测量动作要快,由帕尔帖效应引起的温度梯度来不及改变方向时就应测量完毕,这样热流方向就不会变化,能斯特效应和里纪勒杜克效应就只取决于磁场;
3. 用计算机扫描样品的磁滞回线时,初次使用时扫描范围应大一些,步长也大一些,这样可以在较短时间内看出磁滞回线的大致轮廓,而后调整扫描范围,缩短步长,直到得到较为理想的曲线;
4. 测量铁磁金属薄膜材料的反常霍尔效应的实验中,在一开始我们测出的曲线十分异常,推测为样品与仪器接口接触不良或样品有损坏等原因造成。在重新安装样品确认所有接口都正常接触的情况下曲线仍然异常(无法闭合),故肯定为样品损坏致使其无法体现反常霍尔效应;更换样品后这一现象消失。
五.实验小结
1.电磁铁的磁场与励磁电流的关系:B = -946.6 * Im -250,呈线性;
2.半导体样品的电阻率ρ=2.64*;
3. 所测样品载流子为负电荷,霍尔系数RB = 1.397*10-8 m3/c;载流子浓度n =
4.468*1026m-3;
4.铁磁导体样品的矫顽力=3710Gs。
参考文献
《光电信息科学与技术专业实验讲义》 复旦大学光科学与工程系 20##年8月
实验报告
姓名: 学号: 系别: 座号:
实验题目: 通过霍尔效应测量磁场
实验目的:通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数
实验内容:
已知参数:b=4.0mm, d=0.5mm, =3.0mm.
设,其中K=6200GS/A;
1.保持=0.450A不变,测绘曲线
测量当正(反)向时, 正向和反向时的值,如下表
做出曲线如下
由origin得
由和得
2.保持=4.50mA不变,测绘曲线
测量当正(反)向时, 正向和反向时的值,如下表
做出曲线如下
由origin得
由和得
3.在零磁场下,取=0.1mA,在正向和反向时,测量
的绝对值平均值为 =8.705mV
4.确定样品的导电类型,并求、n、σ和μ
(1)确定样品的导电类型
控制电流和磁场方向如图所示时,电压表读数为正.可知薄片S的上表面积累正电荷,下表面积累负电荷.再根据洛沦兹力的受力规则判断,载流子受力向下,再由下表面积累负电荷知,载流子为负电荷.所以导电类型为n型.
(2)求
由1和2知,
(3)求n
由得
(4)求σ
由得
(5)求μ
由得
实验分析:
本实验采用数字仪表控制,所以相当精确.
思考题:
(1)若磁场不恰好与霍尔元件的法线一致,对测量结果会有何影响?如何用实验的方法判断B与法线方向是否一致?
若磁场不恰好与霍尔元件的法线一致,则霍尔片通过电流时,载流子的偏转方向就会偏离法线方向,从而使测得的电位差不是真正的霍尔电位差,从而造成测量的系统误差.
朝两个方向偏转霍尔元件的方向,如果电位差都减小,说明B与法线方向一致。
(2)若霍尔元件片的几何尺寸为4mm6mm,即控制电流两端距离为6mm,而电压两端距离为4mm,问此霍尔元件能否测量面积为5mm5mm的气隙的磁场?
可以.因为此时两个霍尔片电极都在磁场中,所以载流子仍可以偏转、积累,产生电位差.
(3)能否用霍尔元件片测量交变磁场?
可以.因为霍尔效应建立的时间极短,使用交流磁场时,所得的霍尔电压也是交变的,此时B和V应理解为有效值.
大学本专科实验报告课程名称姓名学院系专业年级学号指导教师成绩年月日1实验报告目录实验名称一实验目的和要求二实验原理三主要实验仪器四…
《霍尔效应》参考实验报告附带结论实验目的1.了解霍尔效应实验原理。2.测量霍尔电流与霍尔电压之间的关系。3.测量励磁电流与霍尔电压…
华南农业大学信息软件学院实验报告课程:大学物理实验学期:20XX-20XX第一学期任课老师:***专业班级:***学号:***姓名…
《霍尔效应》参考实验报告附带结论实验目的1.了解霍尔效应实验原理。2.测量霍尔电流与霍尔电压之间的关系。3.测量励磁电流与霍尔电压…
一、名称:霍尔效应的应用二、目的:1.霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2.测绘霍尔元件的VH—Is,VH—IM曲线,了解…
中央民族大学实验报告课程名称:普通物理实验名称:霍尔效应学院:理学院专业:信息与计算科学报告人:缪崯森学号:0932102班级:信…
霍尔效应及其应用一、实验目的1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。3.确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率…
大学本专科实验报告课程名称姓名学院系专业年级学号指导教师成绩年月日1实验报告目录实验名称一实验目的和要求二实验原理三主要实验仪器四…
实验日期_________________________系别___________班号____________姓名_______…