喀拉布勒根乡寄宿学校

“双语”教学工作总结

（2011—2012第一学期）

本学期继续坚持“双语”教学实验工作，继续探索“双语”教学的发展道路。继续以提高全校师生的“双语”水平，提高双语教师业务水平为目标，在课堂教学中进行探索，开展“双语”教学实验工作。“双语”教学工作有了长足的发展和进步，但总体教学水平还比较低，“双语”教学发展缓慢，制约了民族教育教学质量的提高。为了全面贯彻落实上级有关“双语”教学的文件精神，我校成立了以学校校长为组长的“双语”教学工作领导小组。

一、加强建设，夯实基础

为了使学生感受到更多的汉语，学校从软、硬两方面入手，营造了浓厚的汉语学习氛围。

１、硬环境建设。

学校将走廊布置，班级布置等有利于双语教学的环境建设，让学生在校园内时时处处感受到汉语。

２、软环境建设。

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多渠道、全方位创设课内外汉语语言实践的条件和环境。利用校园广播，开展每日汉语每个班级开设了汉语专栏，实现师生间、生生间真情互动。另外，学校多次举办“双语”竞赛。如双语演讲，升旗仪式，口语大赛等等。为全校师生营造了浓厚的汉语氛围。

3、加强教师培训。

“双语”能否顺利推进，关键是要有一支过硬的懂双语的教师队伍。为此学校通过校本培训要求全体民族教师学习《汉语强化培训》、《日常会话500句》等教材，通过集中学习和自学相结合，民汉教师结对子，互相学习，互相提高双语水平，以便更好的为教学服务。学校也创设各种机会让教师出去听双语课,提高教师授课水平。

二、积极实践，努力尝试

通过这几年的学习和实践，学校师生充分认识到了双语教学工作的重要性和必要性。实施双语教学，并不是用汉语取代母语，而是针对我们国家大部分地区大部分学生曾经接受的“聋子汉语”和“哑巴汉语”教育的实际情况，改革汉语教学，实施双语教学，为学生提供更多的听、说，及运用汉语的环境与机会，更好地为汉语教学服务，提高学生的汉语语言的综合运用能力。

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我校多渠道、全方位创设课内外汉语语言实践的条件和环境。利用校园广播系统，开展每日汉语每个班级开设了汉语专栏，实现师生间、生生间真情互动。另外，学校多次举办双语演讲，升旗仪式，口语大赛、汉语书写比赛并和实验小学师生联欢等各项活动，激发了学生学汉语、用汉语的热情，锻炼了同学们的汉语综合运用能力。为全校师生营造了浓厚的汉语氛围。

开展“双语”教学，无论是对教师还是对学生都是一个极大的挑战，对于教师，既要有很深的学科知识功底，又要有过硬的汉语语言能力。对于学生，则要有较扎实的汉语基础知识和较高的汉语运用水平。针对此，学校为提高教学效率为中心。向40分钟要质量，教师要做到超周备课，认真研究教材，教师之间广泛交流经验，认真上好每一节课。精心设计作业，有批改，有反馈。作业种类可分为听力、口语、阅读、笔试、背诵等。三至九年级在此基础上应逐渐过渡到以汉语写作技能为主。针对我校生源基本上都是来自周边农村的学生，家长也无法辅导孩子，这就需要教师耐心的有针对性地辅导学困生，用游戏、儿歌、主题活动等更好的激发学生学习汉语的兴趣。根据学生的课堂反映确定突出的重点问题，做到有的放矢。在教学过程中，在保证学科知识的基础上，力求培养学生汉语语言思维和运用习惯，用简单、通俗、贴近生活实际的语言及情感交流，使学生学中用、用中 3

学，既掌握学科知识，又发展语言实践能力。教师之间互相听课、评课、集体备课、培养教师树立终身学习的观念，鼓励教师立足教育实践，大力开展教研活动，不断提高教师素质。

三、“双语”教学面临的问题：

1、课程设置上有困难。从新课程改革实施以来，自治区还未发行“双语”班教学课程计划。根据双语教学要求，还需加大汉语、数、语文等一些课程的课时量，因此这给双语教学课程设置带来一定困难。虽然“双语”教学已进行多年的探索和实践，但还没有统一的规范，在一定程序上制约了“双语”教学的发展进程。

2、师资问题，教授汉语课的汉族老师或民考汉老师紧缺。

3、教师备课资料的缺乏。

4、教学内容不断深化、拓展的困难。

喀拉布勒根乡寄宿学校教务处

2012、1

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第二篇：双语总结

正如我们所看到的段。 2.7重组率RR的过剩载流子的密度过剩载流子群的Δn，ΔP（电中性ΔN=ΔP）和τC通过方程的少数载流子寿命取决于：

                                                                    （7.16）

    在平衡状态下，recombihation率必须等于生成率，因此：

                                                                    （7.17）

    我们也可以写的导电率σ的半导体材料作为（参见方程2.19）

                                            

    因此，在光照下暗电导率增加的数额Δσ由下式给出：

                                             

                    （7.18）

    在电极之间的电压V（图7.17）中的应用将导致在一个光诱导电流△i：

                                           

    使用公式。 （7.18），我们得到

                                                 （7.19）

    我们可以定义的有效量子效率的参数，被称为光电导增益G，每秒从设备的电子设备内的电子 - 空穴对的生成率的流率的比率。就是说

                                           

    或者，使用式。 （7.19），

                                                              （7.20）

    不同的是，比方说，光电效应的量子效率，G可以是大于1。它可以增加增加V和降低大号，虽然在高值，bf的电场的电流趋于饱和，由于空间电荷效应（见习题7.8）。高的增益值也将受到青睐τC大值，虽然这意味着，响应时间将相应地差。有大量的证据表明，在一些材料（如CD）存在杂质能级的能隙内，到运营商可能会下降，但不会导致重组是一个很好的载体只是在一段时间后公布的热激发。如此高的水平，被称为说唱或宣传中心。虽然载体被保持在一个陷阱的相反类型的载体必须是存在于所述半导体保持电荷eutrality从而陷阱的存在下，进一步增加增益。然而，这种增加的增益，将再次是在牺牲的响应时间。在相当激烈的背景照明水平，并在相对高温下的陷阱，在大多数的材料往往是完整的，因此，他们的光信号的影响不大。重大的影响，但是，可以在低的温度和低的背景照明水平观察到。

   图7.20示出了一种理想化的波长表示在每单位入射能量输出方面，假设一个恒定的量子效率η为载波生成时，λ<λG的光电导检测器的响应曲线。在实践中，η发现在低波长脱落。我们可以解释由随着波长的吸光系数（图7.19）的增加，这导致在正在产生越来越接近的半导体表面，那里通常是高得多的概率发生比在散装的辐射跃迁的载流子。精心的表面钝化技术是必要的，以获得良好的短波响应特性。

图。 7.20理想化波长的光电导检测器的响应曲线。超越λg的输出不为零，因为光子有足够的能量，以激发横跨带隙的载流子。

As we saw in Sec. 2.7 the recombination rate r_r of the excess carriers depends on the densities of the excess carrier populations Δn, Δp (where for charge neutrality Δn= Δp) and on the minority carrier lifetime τ_c via the equation:

                                                                   (7.16)

    In equilibrium the recombihation rate must equal the generation rate and therefore:

                                                                   (7.17)

    We may write the conductivity σ of a semiconductor material as (see Eq. 2.19)

                                           

    Hence under illumination the dark conductivity will increase by an amount Δσ given by:

                                            

                   (7.18)

    The application of a voltage V across the electrodes (Fig. 7.17) will result in a photoinduced current Δi where:

                                          

    Using Eq. (7.18) we obtain

                                                (7.19)

    We may define an effective quantum efficiency parameter, known as the photoconductive gain G, as the ratio of the rate of flow of electrons per second from the device to the rate of generation of electron-hole pairs within the device. That is

                                          

    or, using Eq. (7.19),

                                                             (7.20)

    Unlike the quantum efficiency for, say, the photoelectric effect, G may be larger than unity. It may be increased by increasing V and decreasing L, although at high values bf the electric field the current tends to saturate due to space charge effects (see Problem 7.8). High Values of the gain will also be favored by large values of τ_c, although this implies that the response time will be correspondingly poor. There is a good deal of evidence that in some materials (such as CdS) impurity energy levels exist within the energy gap into which carriers may fall but which do not cause recombination; the carrier is merely released by thermal excitation at some later time. Such levels are termed raps or sensitization centers. Whilst a carrier is held in a trap a carrier of the opposite type must be present in the semiconductor to maintain charge eutrality and thus the presence of traps further increases the gain. This increase in gain, however, will once again be at the expense of the response time. Under fairly intense background illumination levels and at relatively elevated temperatures the traps in most materials tend to be full, and consequently they have little effect on the photosignal. Significant effects, however, may be observed at low temperatures and low background illumination levels.

   Figure 7.20 shows an idealized wavelength response curve for a photoconductive detector expressed in terms of output per unit of incident energy and assuming a constant quantum efficiency η for carrier generation when λ<λ_g. In practice η is found to fall off at low wavelengths. We may explain this by the increase in the absorption coefficient with decreasing wavelength (Fig. 7.19) which results in carriers being generated increasingly closer to the semiconductor surface where there is often a much higher probability of radiationless transitions taking place than in the bulk. Careful surface passivation techniques are needed to obtain good short wavelength response characteristics.

Fig. 7.20  Idealized wavelength response curve for a photoconductive detector. Beyond λ_g the output fails to zero since the photons have insufficient energy to excite carriers across the bandgap.