【标 题】 实用新型专利申请书

【分 类】 非诉法律文书

实用新型专利申请书

１．格式 实用新型专利申请书

────────────────────────┬───────────

实用新型 │⑴

⑶ │

名称 │

──┬─────────────────────┤ （实用新型） ⑷ │姓 名

├───────────

设│或名称 │

计├─────────────────────┤⑵

人│地址 │

──┼─────────────────────┴───────────

⑸ │姓名或名称 电 话

├───────────────────────────────── │ 邮 政

申│地 址 □□□□□□

请│ 编 码

人

├───────────────────────────────── │国籍或总部所 经常居所或营业所

│在地国家名称 所在地国家名称

├───────────────────────────────── │代表姓名

──┼─────────────────────────────────

⑹ │名 称 地址

专

├───────────────────────────────── 利│专利局给出的 代理机构所在地区

代│ □□□□□ □□□□□□ 理│代理机构代码 邮 政 编 码

机

├───────────────────────────────── 构│代理人姓名 登 记 号

──┴─────────────────────────────────

⑺

□已在中国政府主办或承认的国际展览会上首次展出 □请求费用减缓 □已在规定的学术会议或技术会议上首次发表

──────────────────┬─────────────────

⑻申请文件清单 │⑼附加文件清单

１．请求书 份 每份 页 │ □代理人委托书 □不丧失新颖 ２．权利要求书 份 每份 页 项│ 性的证明文件

３．说明书 份 每份 页 │ □要求优先权声明 □ ４．说明书附图 份 每份 页 幅│

５．说明书摘要 份 每份 页 │ □优先权证明材料 □ ６．摘要附图 份 每份 页 幅│

────────────┬─────┴───────┬─────────

⑽上述以外的设计人 │⑾上述以外的申请人 │⑿申请人或代理机构

│ │ 签章 │ │

│ │ 年 月 日 ────────────┴─────────────┴─────────

２．说明

（１）申请实用新型专利，应当提交实用新型专利请求书、说明书、权利要求

书、说明书附图、说明书摘要和摘要附图等申请文件。

（２）申请文件一式两份（正副本各一份）。允许使用复印件，但申请人或代

理机构签章不得复印。

（３）填写本表必须使用中文。外国人名、地名如无统一中文译文明应当注明

原文。

（４）表中的“□”供填表人在填写选择性项目时使用，若有方格后所述情况，

应在方格内标上“√”号。

（５）本表第⑴⑵两栏由专利局填写。

（６）本表第⑶栏“实用新型名称”应简短明确，体现该实用新型的类别。各

文件中的实用新型名称应一致。

（７）申请人是单位的，应使用单位全称。申请人是单位又未委托代理人的， 应在该单位指定一名代表联系人，填在第⑸栏“代表姓名”后面；两个以上单位共

同申请的，应协商推选出一个单位作为所有申请人的代表，并在该单位指定一名代

表联系人，分别填在第⑸栏“姓名或名称”及“代表姓名”后面，申请人委托代理

人的，第⑸栏“代表姓名”不必填写。

（８）有多个设计人、申请人时，在本表第⑴、⑸栏中只填写一个，其余的分

别填在第⑽、⑾栏中，本表⑿栏应由第⑸或第⑹栏中的申请人或代理机构签字或盖

章。

（９）本表第⑹栏中代理人登记号指代理人在中国专利局的登记号。未向专利

局登记的人不具有代理人资格。代理机构指定代理人时不得超过两人。 （１０）通讯地址应详细、准确、符合惯例，以能迅速投递为准。

（１１）本表各栏填写不下时，可另附与本表同样大小和质量相当的白纸续写。

续写时，应注明续栏编号。

（１２）个人申请专利缴费有困难请求费用减缓的，应在本表第⑺栏中作出标

记。申请人在请求书中未作出请求费用减缓的标记，申请日后提出费用减缓请求的，

申请费不予减缓。申请人为两个或两个以上，专利局原则上不批准费用减缓请求。

 

第二篇：实用新型专利申请书(分立电路)

名称：一种同时匹配的低噪声放大器

说明书摘要

本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在分立电路(Lump Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。为了克服现有技术中低噪声放大器难以在输入级同时实现噪声匹配和功率增益匹配的缺陷，本实用新型采用了由有源器件、源简并电感(Source Degeneration Inductance)、输入匹配电路、输出匹配电路和直流偏置电路所构成的低噪声放大器。放大器首先通过一个源简并电感串联在MOS管的源极和地电位之间用来提供串联负反馈效应，使得MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；然后利用一个输入匹配网络，将MOS管的栅极匹配到信号源，从而使得低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个输出匹配网络，实现有源器件的输出端口与负载之间的匹配。本实用新型方法简单，能够很好地被设计者掌握并应用到实际设计中。

摘要附图

权利要求书

1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用分立电路(Lump Circuit)实现，即利用分立的有源和无源元器件制作在射频电路板上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率增益匹配设计。

2、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，由有源器件、源简并电感(Source Degeneration Inductance)、输入匹配电路、输出匹配电路和直流偏置电路构成。

3、如权利要求2所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口；源简并电感连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容和电感组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另一端与隔直电容相连接，的另一端与信号输入端连接；电容和电感组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与隔直电容相连接，的另一端与信号输出端连接；两路直流偏置电路分别由电感、电阻、电容和以及电感、电阻、电容和组成，电感的一端连接MOS管的栅极，电感的另一端与电阻的一端共同接至电容的一端，电容的另一端接地电位，电阻的另一端接至电源，电容的一端接至电源，电容的另一端接地电位，电感的一端连接MOS管的漏极，电感的另一端与电阻的一端共同接至电容的一端，电容的另一端接地电位，电阻的另一端接至电源，电容的一端接至电源，电容的另一端接地电位。

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在分立电路(Lump Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。

背景技术

在无线通信领域，低噪声放大器需要放大接收到的弱信号，要求自身产生的噪声应尽量小。除了低噪声的性能之外，低噪声放大器还必须具有足够的增益，来抑制接收机后续其他单元的噪声对整个接收机的影响。请参考图1，低噪声放大器包括有源器件，以及分别用于控制输入阻抗和输出阻抗的输入匹配网络和输出匹配网络。

在进行输入匹配设计时，将信号源与晶体管的输入阻抗之间进行共轭匹配，便可以获得最大功率传输，即获得最大增益；相应地，为了达到最小噪声系数，必须将信号源匹配到晶体管的噪声最优源阻抗，便可以使放大器得到最佳的噪声性能。然而实现最小噪声系数和最大功率传输之间存在矛盾，设计者只能在两者之间进行权衡取舍，很难实现噪声和功率的同时匹配。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种应用在分立电路设计中的低噪声放大器，即利用分立的有源和无源元器件制作在射频电路板上来实现低噪声放大器的设计，并且可以在输入级实现最小噪声系数和最大功率传输的同时匹配。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案是：一种同时匹配的低噪声放大器，包括有源器件、源简并电感(Source Degeneration Inductance)、输入匹配电路、输出匹配电路和直流偏置电路。

有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口；源简并电感连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容和电感组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另一端与隔直电容相连接，的另一端与信号输入端连接；电容和电感组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与隔直电容相连接，的另一端与信号输出端连接；两路直流偏置电路分别由电感、电阻、电容和以及电感、电阻、电容和组成，电感的一端连接MOS管的栅极，电感的另一端与电阻的一端共同接至电容的一端，电容的另一端接地电位，电阻的另一端接至电源，电容的一端接至电源，电容的另一端接地电位，电感的一端连接MOS管的漏极，电感的另一端与电阻的一端共同接至电容的一端，电容的另一端接地电位，电阻的另一端接至电源，电容的一端接至电源，电容的另一端接地电位。

本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其优点在于：

⑴本实用新型提出的低噪声放大器在输入级同时做到了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数，而且实现了功率的最大传输。

⑵本实用新型方法简单，能够很好地被设计者掌握并应用到实际设计中。

附图说明

图1为常规的放大器设计原理图。

图2为本实用新型的一种同时匹配低噪声放大器的一个示例性实施例的电路图。

具体实施方式

图2图解说明本实用新型的一个实施例。

有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口。有源器件部分亦不限于只有一个共源结构的MOS管，而可为具有串迭(Cascode)架构的电路结构。

源简并电感连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭。

电容和电感组成一个L型输入匹配网络，用于实现MOS管输入阻抗和信号源阻抗之间的匹配，其中一端与MOS管栅极相连，另一端与隔直电容相连接，的另一端与信号输入端连接。

电容和电感组成一个L型输出匹配网络，用于实现MOS管输出阻抗和负载之间的匹配，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与隔直电容相连接，的另一端与信号输出端连接。

两路直流偏置电路分别由电感、电阻、电容和以及电感、电阻、电容和组成，电感的一端连接MOS管的栅极，电感的另一端与电阻的一端共同接至电容的一端，电容的另一端接地电位，电阻的另一端接至电源，电容的一端接至电源，电容的另一端接地电位，电感的一端连接MOS管的漏极，电感的另一端与电阻的一端共同接至电容的一端，电容的另一端接地电位，电阻的另一端接至电源，电容的一端接至电源，电容的另一端接地电位。

本实用新型的实施案例是以MOS晶体管为范例，在实际的电路实现上，双极性晶体管或其它具有放大功能的有源器件均可按此设计方法施行。虽然以上描述的示例性LNA只包括一级放大器，本领域的技术人员应该可以理解本实用新型的原理能够应用到含有任意数目的放大器级的LNA。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。

说明书附图

图1

图2