篇一 ：霍尔效应实验报告
大 学
本(专)科实验报告
年 月 日
（实验报告目录）
实验名称
一、实验目的和要求
二、实验原理
三、主要实验仪器
四、实验内容及实验数据记录
五、实验数据处理与分析
六、质疑、建议
霍尔效应实验
一．实验目的和要求：
1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.
2、测绘霍尔元件的
，
曲线了解霍尔电势差
与霍尔元件控制（工作）电流
、励磁电流
之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：
1、霍尔效应
霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流相反的X负向运动。
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篇二 ：大学物理实验报告系列之霍尔效应
【实验名称】 霍尔效应
【实验目的】
1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除付效应的影响，测量试样的VH—IS；和VH—IM曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
【实验仪器】
霍尔效应实验仪
【实验原理】
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
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篇三 ：霍尔效应实验报告(附带实验结论)
《霍尔效应》参考实验报告附带结论
实验目的
1.了解霍尔效应实验原理。
2.测量霍尔电流与霍尔电压之间的关系。 3.测量励磁电流与霍尔电压之间的关系。 4.学会用“对称测量法”消除负效应的影响。
实验仪器
霍尔效应实验仪。 实验步骤
1.正确连接电路，调节霍尔元件处于隙缝的中间位置。
2.测量不等位电势。令励磁电流IM=0mA，霍尔电流IH=1.00mA，2.00mA，?，10.00mA，测量霍尔元件的不等位电势随霍尔电流的对应关系。
2.测量霍尔电流IH与霍尔电压UH的关系。令励磁电流IM=400mA,调节霍尔电流IH=1.00mA，2.00mA，?，10.00mA（每隔1.0mA改变一次），分别改变励磁电流和霍尔电流的方向，记录对应的霍尔电压。 3.测量励磁电流IM与霍尔电压UH的关系。令霍尔电流IH=8.00mA，调节励磁电流IM=100.0mA，200.0mA，?，1000.0mA（每隔100.0mA改变一次），分别改变励磁电流和霍尔电流的方向，记录对应的霍尔电压。
实验数据记录及处理 （1）测量不等位电压
（2）测量霍尔电流和霍尔电压的关系(IM=400mA)
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篇四 ：霍尔效应实验报告参考
华南农业大学信息软件学院 实验报告
课程：大学物理实验 学期：20##-2013第一学期 任课老师：***
专业班级：**************学号：************** 姓名：***
评分：
实验3 霍尔效应的应用
一． 实验目的
1. 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2. 测量霍尔元件的曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流之间的系。
3. 学习用对称测量法消除副效应的影响，测量试样的和曲线。
4. 确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
二． 实验仪器设备
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篇七 ：霍尔效应实验报告 (1)
霍尔效应实验
一、实验目的
1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用
2．测绘霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。
3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二、实验仪器
霍尔效应实验仪和测试仪
三、实验原理
运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起偏转，当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场（霍尔电场），这就是霍尔效应的本质。由于产生霍尔效应的同时，伴随多种副效应，以致实测的霍尔电场间电压不等于真实的VH值，因此必需设法消除。根据副效应产生的机理，采用电流和磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。具体的做法是Is和B（即IM）的大小不变，并在设定电流和磁场的正反方向后，依次测量由下面四组不同方向的Is和B（即IM）时的V1，V2，V3，V4，
1）+Is +B V1
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篇八 ：霍尔效应的应用实验报告
一、 名称：霍尔效应的应用
二、 目的：
1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用
2．测绘霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。
3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
三、 器材：
1、实验仪：
（1）电磁铁。
（2）样品和样品架。
（3）Is和IM 换向开关及VH 、Vó 切换开关。
2、测试仪：
（1）两组恒流源。
（2）直流数字电压表。
四、 原理：
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场
。如图15-1所示的半导体试样，若在X方向通以电流
，在Z方向加磁场
，则在Y方向即试样 A-A/ 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的N型试样，霍尔电场逆Y方向，（b）的P型试样则沿Y方向。即有
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