重庆大学本科学生毕业设计（论文）附件 附件B：开题报告 附件B：

毕业设计（论文）开题报告

1、课题的目的及意义

随着网络科学技术的不断发展，我们的社会已经进入了信息时代，超大容量的信息可以在瞬时间传播到各地，为我们了解这个世界的动态打开了新的途径。在网络普及并不断成为民众生活中不可或缺的一部分时，政治、经济、文化各领域也都受到网络的影响，各自在网络领域中开辟新的发展道路。

网络舆论，作为一种新的舆论传播方式，迅速地被广大民众所接受，并受到各阶层民众的喜爱和支持。随时在网上关注社会动态并加以评论，相互讨论当下热点话题，成为民众工作学习之余另一重要的生活内容。在如此大环境下，公民的政治参与度经由网络得到大步的提升，政府行为透明度也越来越高，政府公信力越来越受到网民的关注。

政府公信力是政府获得人民群众信任和认可的一种能力。较强的政府公信力能够更好地塑造政府形象，增强其合法性。由于网络舆论的自由性以及匿名性，网民对政府行为的监督和讨论几乎不会受到任何因素的影响，因而能够客观真实地呈现在政府以及公众面前。近年来，从“毒奶粉”、“苏丹红”到“瘦肉精”、“染色馒头”等食品安全问题的爆发，引起了社会的高度关注。在市场经济环境下，政府对企业理应承担的是管理和监督责任，而食品安全问题频发，网民们不仅批判那些食品制造商，同时也质疑了政府的管理监督责任。他们虽然看到了政府在事发之后及时处理的魄力，但对于事发之前政府职责的缺失却大为不满。民众的负面情绪通过网络迅速传播，最后甚至发展成为对政府的正面攻击。而“郭美美”事件也充分反映出民众对政府的不信任，政府网络舆论危机愈演愈烈，对政府公信力的冲击力不可小觑。

在社会诚信体系中，政府信用是核心内容。一个诚信的社会，不仅需要个人诚信行为，更需要一个有信用的政府。政府一旦失信，公民便只能被动接受，对社会诚信的建设产生负面影响。而未来政府的各种行为都将被公民打上大大的问号，政府工作的开展将受到极大的影响，政府将会为此付出巨大的代价。

本论文的目的即在于对当前网络舆论下政府公信力现状进行分析，探讨政府公信力在网络方面的缺失，并探索在网络大环境下提升政府公信力的有效途径，从而客观并且深入地理解政府公信力对于社会的重要性，弥补政府公信力的缺失。

2、课题任务、重点研究内容、实现途径

2.1 课题任务

B1

重庆大学本科学生毕业设计（论文）附件 附件B：开题报告

(1) 政府公信力作为政府获得民众信任和支持的一种能力在网络舆论的冲击

下变得脆弱，需要深刻分析其现状以及形成原因；

(2) 结合具体案例，探讨政府公信力如何在网络中缺失又如何重新建立，网络

舆论对政府公信力既是挑战也是契机。

2.2重点研究内容

(1) 阐述政府公信力的定义，以及政府公信力正在减弱的危急现状；

(2) 政府本身行为，公务员个人行为以及网络舆论对政府公信力的影响；

(3) 网络舆论对政府公信力产生影响的典型案例分析；

(4) 重塑政府公信力的有效途径。

2.3 实现途径

(1) 理论研究。通过相关文献的阅读，明确政府公信力的定义以及公信力与网

络舆论的关系，并明确全文的理论支撑框架。

(2) 案例研究。将理论分析与案例分析结合起来。通过典型案例，分析政府公

信力如何一步步在网络舆论下逐渐缺失，并从现实角度认清政府公信力的重要性。

(3) 分析对比。网络冲击对政府公信力既是挑战也是契机，利用网络舆论重塑

政府公信力更为重要。

(4) 从事写作。在确定理论，案例并予以分析的基础上，开始写作。

3、进度计划

B2

重庆大学本科学生毕业设计（论文）附件 附件B：开题报告

学生签名：

2012 年 3 月 27 日

4、指导教师意见

选题恰当，研究对象明确，研究重点较为明晰，实施线路合理可行，进度安排恰当，同意开题。（学生在系统中上传《开题报告》时，此处务必请指导老师按照具体情况填写意见,不能只写“同意”或“同意开题”。）

指导教师签名：

2012 年 3 月 26 日

说明：

1、开题报告应根据教师下发的毕业设计（论文）任务书，在教师的指导下由学生独立撰写，在毕业设计（论文）开始后两周内完成。

2、本页不够，请加页。

B3

 

第二篇：重庆大学毕业设计开题报告模板

毕业设计（论文）开题报告

毕业设计（论文）题目 大气压气相合成石墨烯结晶质量影响机制

1.课题的目的及意义

石墨烯是由碳原子通过sp2 杂化，单层六角原胞碳原子组成的蜂窝状二维晶体,是构筑其他维度碳质材料的基本单元。石墨烯的理论比表面积高达2600m²/g，有10倍与铜（397 W/（m?K））的超强热导性能（3000W/（m?K））、力学性能（1060GPa）和机械性能（杨氏模量达1.0TPa），以及室温下高速的电子迁移率（15000cm2/（V?s））。石墨烯几近透明,在很宽的波段内光吸收只有2.3% ^[4,6]文献。

图1  单层石墨烯及其派生物示意图

因其无比优越的性质，在场效应晶体管、集成电路、单分子探测器、透明导电薄膜、功能复合材料、储能材料、催化剂载体等方面有广阔的应用前景。要实现这些应用，我们首先必须快速有效的制备出大面积高质量的石墨烯以满足需求，但目前石墨烯的大规模生产面临很大的技术瓶颈，生产出的石墨烯面积小，质量差，不能够满足市场的需求。

目前能够制备出石墨烯的方法有微机械剥离法, 化学剥离法, 离子体刻蚀法, 电化学法, 电弧法, 外延生长法, 化学气相沉积法。根据石墨烯薄层材料的应用范围和领域的不同，制备方法也不尽相同。但是新制备方法都朝着同一个方向努力，即简单、安全、高效的制备过程和易于应用的制备产物。其中最有效的制备方法还是CVD（化学气相沉积）法,它可实现高质量的可控生长。但是此方法往往因为制备条件的控制不够合理而致使产品质量不是很高。影响CVD法制备石墨烯的因素有：实验所用金属基底材料,制备过程中温度的控制，H₂、Ar和CH₄气体的比例、通入速度，生长时间等^[3]。要得到这些因素在制备过程中的最佳参数，就首先得清楚这些因素对石墨烯制备的具体影响机制，然后以这些影响机制为依据，调节参数进行实验得到最佳的制备条件。

本课题的主要目的就是探究实验所用金属基底，制备过程中温度的控制，H2、Ar和CH4气体的比例、通入速度，生长时间等条件对所制备石墨烯质量的影响机制,从而得出最合理的制备条件，为石墨烯的大规模，高质量生产提供理论依据。

2.国内外研究现状

近年来制备石墨烯所用的方法有以下几种:

2.1外延生长法

外延生长法是利用生长基质的结构“种”出石墨烯。Pan等^[5]以含碳的钌单晶在超高真空环境下高温退火处理, 使碳元素向晶体表面偏析形成外延单层石墨烯薄膜, 通过优化生长条件获得了理想的毫米级外延石墨烯二维单晶材料。低能电子衍射结果证实了石墨烯样品毫米级的高度有序性。这种高质量石墨烯的获得, 为石墨烯基础问题的深入研究及其进一步在器件方面的应用提供了一种新的方法和理想体系。但采用这种方法生产的石墨烯薄膜往往厚度不均匀, 且石墨烯和基质之间的粘合会影响碳层的特性。

2.2机械剥离法

最普通的是微机械分离法，也是一种比较常规的方法，即用胶带或其他手段定向分离高定向热解石墨（Highly Ordered Pyrolytic Graphite，HOPG）。通常先用别的材料和HOPG摩擦，使其表面产生絮状晶体，得到较薄的HOPG层后用胶带反复粘撕即可。20##年Novoselov等利用这种方法成功制备并观测到准二维单层石墨烯的形貌。但此法缺点是利用摩擦石墨表面获得的薄片筛选出单层的石墨烯薄片，得到的石墨稀片层很小，很难大规模应用到实际当中^[2]。

2.3氧化还原法

氧化还原法是将天然石墨通过热处理或其它氧化技术进行氧化，得到基本分子结构为Ｃ六边形且表面及边缘存在大量的羟基、羧基、环氧等基团的氧化石墨烯，如图２所示，再通过化学还原的方法去除其分子结构上的含氧基团，最后得到石墨烯薄层材料的方法。氧化石墨还原法虽然简便且成本较低, 可实现石墨烯的批量生产,但是制备的石墨烯也存在一定缺陷:经过强氧化剂氧化过的石墨并不一定能够完全还原, 导致其一些物理、化学等性能损失, 尤其是导电性。^[1]

图2 氧化石墨烯分子结构示意图

2.4加热SiC法

该法是通过加热单晶6H·SiC脱除Si，在单晶面上分解出石墨烯片层。先将6H·SiC经氧气或氢气刻蚀处理，在高真空下通过电子轰击加热除去表面的氧化物。用俄歇电子能谱检测表面的氧化物是否完全除尽，完全除尽后将样品加热升温至1 250~1 450℃后恒温1~20 min，从而得到很薄的石墨层。这种方法得到的石墨烯具有较高的载流子迁移率，但很难制备出大面积单层石墨烯。

2.5化学气相沉积(CVD)法

CVD法是指反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。这种技术是目前工业上应用最广泛的一种大规模制备薄膜材料的技术之一，也广泛应用于石墨烯的制备。

制备石墨烯时用的衬底材料主要是镍和铜，也有人在单晶Co、Pt、Pd、Ir、Ru基体上在真空条件下成功制得了石墨烯^[2]。所用的气体碳源为CH₄，CO₂等，在氩气和氢气的氛围下通过控制升降温过程，气体的通入速度制备高质量石墨烯。

韩国成均馆大学的B. H. Hong 研究组^[7] 采用类似的CVD 法生长石墨烯: 生长基体为电子束沉积的300nm的Ni膜,碳源为CH₄,生长温度为1000℃,载气为H₂和A r的混合气, 降温速度为10℃/s。由于Ni生长石墨烯遵循渗碳析碳生长机制, 因此所得石墨烯的层数分布很大程度上取决于降温速率。采用Ni膜作为基体生长石墨烯具有以下特点: 石墨烯的晶粒尺寸较小, 层数不均一且难以控制, 在晶界处往往存在较厚的石墨烯, 少层石墨烯呈无序堆叠。此外, 由于N i与石墨烯的热膨胀率相差较大, 因此降温造成石墨烯的表面含有大量褶皱。

最近,中国科学院金属研究所的成会明、任文才研究组^[8] 和麻省理工学院的J. Kong 研究组^[9]提出了利用铜箔作为基体的常压CVD法制备石墨烯, 并发现通过调节载气的成分, 可以有效地提高石墨烯的质量。

在较短的时间内制备石墨烯ＣＶＤ制备工艺技术具有限制条件少，简单易行，高产且面积可控等优点，引起了人们使用ＣＶＤ方法制备石墨烯材料的研究热潮

3.课题任务及研究内容

1.用磁控溅射的方法制备不同形态（晶型、厚度等）的镍和铜金属薄膜，对金属薄膜的结晶学特征进行表征，研究金属膜的表面结构特征，在不同种类和特征的金属上进行实验，分析金属的结晶性、碳溶解度对石墨烯质量的影响。

2.在Cu和Ni的金属箔、金属膜上用高温化学气相沉积的方法制备石墨烯，对石墨烯的结构进行表征。比较不同反应动力学参数（温度，时间，反应物浓度等）下生长石墨烯的性能，分析各参数对石墨烯生长的影响，优化条件以达到石墨烯结构的可控生长。

3.用拉曼光谱和扫描电子显微镜对石墨烯的层数和表面形态进行表征, 结合金属基底的结晶性、碳溶解度等特征以及反应的动力学参数综合分析石墨烯的最佳生长条件。分析金属基底和反应动力学参数对石墨烯结晶质量的影响机制。

4.实验方案

本课题选用的衬底材料为金属Ni和金属Cu,分别在其金属箔和金属膜上进行实验。

4.1.衬底的制备和处理

在清洁处理后的SiO2/Si基片上用磁控溅射仪溅射纳米级厚度的Ni薄膜，用同样的方法制备Cu膜。Cu衬底:⑴铜箔--实验选择的衬底材料为纯度99.7 % 的1 cm × 1cm的铜箔。将铜箔在醋酸中超声5分钟→用滤纸吸干→丙酮中超声5分钟→用滤纸吸干→异丙醇中超声5分钟。有人通过用稀氨水处理铜箔得到的石墨烯质量有所提升,基于此，在以上处理步骤的最后用稀氨水浸泡，进性验证性实验,如果氨水处理有好的作用,就进一步试验得出最佳的氨水浓度范围^[3]。

图3 铜箔的前期处理示意图

其它衬底的实验同上。

4.2.探究反应动力学参数对石墨烯结晶质量的影响

在不同的生长温度、生长时间、气体配比、升降温速率等反应条件下制备石墨烯，探究不同的参数对石墨烯质量结构的影响。

4.3.石墨烯的转移：先在Si/SiO2/Ni(Cu)/石墨烯表面旋涂一层PMMA膜，然后用FeCl₃溶液溶掉金属膜，用新的Si/SiO2基片转移PMMA/石墨烯膜，用丙酮溶解PMMA得到Si/SiO₂/石墨烯样品。

图4  石墨烯从SiO2/S i基体到其他任意基体的转移

4.4.石墨烯的表征

用扫描电子显微镜表征石墨烯的表面形态，用拉曼光谱表征石墨烯的层数，对石墨烯的总体质量进行评估。

5.实验进度计划

6.预期实验结果

制备出大面积高质量的石墨烯；明确了石墨烯在不同衬底上的生长机理和不同的动力学参数对石墨烯生长的影响机制，并得出最佳的石墨烯制备条件。

主要参考文献：

[1].姜丽丽，鲁雄.石墨烯制备方法及研究进展. 中国学术期刊，2012,23,43：3185-3193.

[2].周银，侯朝霞，王少洪，王立国，隋春华，王彩.石墨烯的制备方法及发展应用概述.中国学术期刊.2012,3,35：86-90.

[3].师小萍，于广辉，王斌，吴渊文.Cu上石墨烯的化学气相生长法研究.功能材料与器件学报.2011,5,17.486-490.

[4]. 崔同湘，吕瑞涛，康飞宇，顾家琳.从石墨烯的制备及其应用研究进展看20##年度诺贝尔物理学奖.科技导报2010,28（24）:23-28.

[5] Pan Y, Zhang H , Shi D, etal Highly ordered, millim eter scale, continuous , single crystalline graphene monolayer form ed on Ru ( 0001) [ J] . Adv Mater, 2009, 21: 2777- 2780.

[6]李旭，赵卫峰，陈国华.石墨烯的制备与表征研究.2008,8,22:48-51.

[7] Kim K S, Zhao Y, Jang H, eta.l Large-scale pattern growth of graphene film s for stretchab le transparent electrodes [ J] . N ature,2009, 457( 7230 ) : 706-710.

[8] Gao L B, Ren W C, Zhao J P, etal Efficien t grow th of high quality graphene films on Cu foils by am bient pressure chemical vapor depos ition [J].Applied Physics Letters, 2010, 97 ( 18) :183109.

[9] Bhaviripud i S, JiaX T, D resselhaus M S, et a.l Ro le of k in et icfactors in chemical vap or depo sition syn thesis of unifo rm large area graphene u sing copper catalyst [ J] . Nano L et ters, 2010,10( 10 ) : 4128-4133.

                                       学生签名：

                                              年     月     日

指导老师意见：

                                     指导老师签名：

                                              年     月     日