高温超导材料临界转变温度的测定

生医0 王言 2010013212

一．实验目的

1．通过对氧化物超导材料的临界温度T_C两种方法的测定，加深理解超导体的两个基本特性；

2．了解低温技术在实验中的应用；

         3．了解几种低温温度计的性能及Si二极管温度计的校正方法；

         4．了解一种确定液氮液面位置的方法。

二．实验原理

1．超导现象及临界参数

1）零电阻现象

我们知道，金属的电阻是由晶格上原子的热振动（声子）以及杂质原子对电子的散射造成的。在低温时，一般金属（非超导材料）总具有一定的电阻，如图1所示，其电阻率 r 与温度T的关系可表示为：

                                                           （1）

式中r₀是T＝0K时的电阻率，称剩余电阻率，它与金属的纯度和晶格的完整性有关，对于实际的金属，其内部总是存在杂质和缺陷，因此，即使使温度趋于绝对零度时，也总存在r₀。

1911年，翁纳斯在极低温下研究降温过程中汞电阻的变化时，出乎意料地发现，温度在4.2K附近，汞的电阻急剧下降好几千倍（后来有人估计此电阻率的下限为3.6´10^-23W×cm，而迄今正常金属的最低电阻率仅为10^-13W×cm，即在这个转变温度以下，电阻为零（现有电子仪表无法量测到如此低的电阻），这就是零电阻现象，如图2所示。需要注意的是只有在直流情况下才有零电阻现象，而在交流情况下电阻不为零。

目前已知包括金属元素、合金和化合物约五千余种材料在一定温度下转变为具有超导电性。这种材料称为超导材料。发生超导转变的温度称为临界温度，以T_C表示。

         由于受材料化学成分不纯及晶体结构不完整等因素的影响，超导材料的正常一超导转变一般是在一定的温度间隔中发生的。如图3，用电阻法（即根据电阻率变化）测定临界温度时，我们通常把降温过程中电阻率－温度曲线开始从直线偏离处的温度称为起始转变温度，把临界温度T_C定义为待测样品电阻率从起始转变处下降到一半时对应的温度（r = r₀/2），也称作超导转变的中点温度。把电阻率变化从10%到90%所对应的温度间隔定义为转变宽度，记作DT_C ，电阻率值刚刚完全降到零时的温度称为完全转变温度。DT_C的大小一般反映了材料品质的好坏，均匀单相的样品DT_C较窄，反之较宽。

         2）完全抗磁性

         当把超导体置于外加磁场中时，磁通不能穿透超导体，超导体内的磁感应强度始终保持为0，超导体的这个特性称为迈斯纳效应。注意：完全抗磁性不是说磁化强度M和外磁场B等于零，而仅仅是表示M = -B / 4p。

         超导体的零电阻现象与完全抗磁性的两个特性既相互独立又有紧密的联系。完全抗磁性不能由零电阻特性派生出来，但是零电阻特性却是迈斯纳效应的必要条件。超导体的完全抗磁性是由其表面屏蔽电流产生的磁通密度在导体内部完全抵消了由外磁场引起的磁通密度，使其净磁通密度为零，它的状态是唯一确定的，从超导态到正常态的转变是可逆的。

         利用迈斯纳效应，测量电感线圈中的一个样品在降温时内部磁通被排出的情况，也可确定样品的超导临界温度，称电感法。

         用电阻法测T_C较简单，用得较多，但它要求样品有一定形状并能连接电引线，而且当样品材料内含有T_C不同的超导相时，只能测出其中能形成超导通路的临界温度最高的一个超导相的T_C 。用电感法测T_C则可以弥补电阻法的不足，即可以把不同的超导相同时测出。

         3）临界磁场

         把磁场加到超导体上之后，一定数量的磁场能量用来建立屏蔽电流以抵消超导体的内部磁场。当磁场达到某一定值时，它在能量上更有利于使样品返回正常态，允许磁场穿透，即破坏了超导电性。致使超导体由超导态转变为正常态的磁场称为超导体的临界磁场，记为H_C 。如果超导体内存在杂质和应力等，则在超导体不同处有不同的H_C ，因此转变将在一个很宽的磁场范围内完成，和定义T_C样，通常我们把H = H_C /2相应的磁场叫临界磁场。

         临界磁场是每一个超导体的重要特性，实验还发现，存在着两类可区分的磁行为。在大多数情况下，对于一般的超导体来说，在T_C以下，临界磁场H_C随温度下降而增加，由实验拟合给出H_C与T的关系很好地遵循抛物线近似的关系：

                                  （2）

式中，H_C(0)是T＝0K时的临界磁场。此类超导体被称为第I类超导体，在远低于T_C的温区，它们的临界磁场H_C(T)的典型数值为100Gs，因此又被称为软导体。

         对于第II类超导体来说，在超导态和正常态之间存在过渡的中间态，因此第II类超导体存在两个临界磁场H_C1和H_C2 ，当H<H_C1时它具有和第I类超导体相同的迈斯纳效应；当H>H_C1时，磁场开始进入到超导体中，但这时体系仍具有零电阻的特性，我们把这个开始进入超导体的磁场H_C1叫下临界磁场。随着H的进一步提高，磁场进入到超导体中愈来愈多，同时伴随着超导态的比例愈来愈少，随着H增加到H_C2，超导体完全恢复到正常态。我们把这个H_C2叫上临界磁场，磁场H处于H_C1<H<H_C2的状态为混合态。第II类超导体的上临界磁场可高达10⁵Gs，被称为硬超导体。

但对高温超导体来说，H_C(T)-T关系并不符合（2）式关系式。

         4）临界电流密度

实验发现当对超导体通以电流时，无阻的超流态要受到电流大小的限制，当电流达到某一临界值I_C后，超导体将恢复到正常态。对大多数超导金属，正常态的恢复是突变的。我们称这个电流值为临界电流I_C ，相应的电流密度为临界电流密度J_C 。对超导合金、化合物及高温超导体，电阻的恢复不是突变，而是随电流的增加渐变到正常电阻R₀。

         临界电流I_C与临界磁场强度H_C是相关的，外加磁场越强，临界电流就越小。临界磁场强度H_C也依赖于温度，H_C随温度升高而减小，并在转变温度T_C时降为零，临界电流密度以类似方式和温度有关，即它在较高温度下减小。

         临界温度T_C ，临界电流密度J_C和临界磁场H_C是超导体的三个临界参数，这三个参数与物质内部微观结构有关。在实验中要使超导体处于超导态，必须将其置于这三个临界值以下，只要其中任何一个条件被破坏，超导态都会被破坏。

         2．温度的测量：

         温度的测量是低温物理中首要和基本的测量，也是超导性能测量中不可缺少的手段，随着科学技术的发展，测量方法不断增加，准确程度也逐渐提高。

         在低温物理实验中，温度的测量通常有以下几种温度计：气体温度计、蒸汽压温度计、电阻温度计、热电偶温度计、半导体温度计和磁温度计。各种温度计的体积大小、适用温区、灵敏度、冷热循环的复现性、价格、线性及磁场的影响等各不相同。可根据温区、稳定性及复现性等主要因素来选择适当的温度计。在氧化物超导体临界温度的测量中，由于温度范围从300K→77K，我们采用铂电阻温度计作为测量元件。为了使同学们对温度计使用有更多的了解，我们还采用热电偶温度计和半导体温度计作为测温的辅助手段。现将它们的测温原理简介如下：

1）铂电阻温度计

铂电阻温度计是利用铂的电阻随温度的变化来测量温度的，铂具有正的电阻温度系数，若铂电阻在0℃时电阻为100W，其电阻R与温度T的关系如表1所示。

表1　铂电阻温度计R－T表

说明：① 若0℃时铂电阻值不是100W，而是R₀，则表中该数就应乘以一个因子：R₀/100。

② 若待测温度范围为0℃－850℃，可按下式计算：R_t =100 ·（1 + 3.90802×10^-3 · t - 0.580195×10^-6 · t²）。

③ 0℃＝273.15K。

由于金属铂具有很好的化学稳定性，体积小而且易于安装和检测，国际上已用它作为测温标准元件。

2）温差电偶温度计

由电磁学知，当两种不同的金属(A、B)接触时，由于其逸出功不同，在接触点处会产生接触电势差，如果把此两不同金属的导线联成闭合回路时，且两个接触点处在不同的温度（T₁，T₂），则在回路中就有电动势E存在，这种电动势称为温差电动势，而回路称为温差电偶，E的大小与A、B两种材料及接触处的温度T₁，T₂有关。

我们实验中采用镍铬－康铜作为温差材料，它们的温差电动势E与温度的关系，可查阅实验室的数据表。

         3）半导体Si二极管温度计

         它是利用半导体二级管PN结的正向电压随温度下降而升高的特性来测量温度的，不同半导体的PN结，其正向电压与温度的关系是不一样的，实验中希望采用具有线性变化关系和电压温度灵敏度较大的PN结作为测温元件，国内外科学工作者在20世纪六、七十年代对此进行了大量的实验研究，发现在77K到300K的温度范围内半导体硅(Si)二极管可满足上述要求，因此从1972年开始硅二极管温度计用于低温实验中。硅二极管温度计属于二次温度计，它需要经过标定后才能使用。标定用的温度计称为一次温度计。根据国际计量大会的规定，采用气体温度计作为一次温度计，而铂电阻温度计作为用于13.8K~903.89K温度范围的测温标准元件。在我们实验中采用铂电阻温度计来标定Si二极管温度计。标定时，Si二极管通以几十微安的恒定电流，测量PN结两端正向电压U随温度T的变化曲线（如图6所示）。而温度T的大小由铂电阻温度计读出。

         3．温度的控制

         温量超导材料的临界参数（如T_C）需要一定的低温环境，对于液氮温区的超导体来说，低温的获得由液氮提供，而温度的控制一般有两种方式：恒温器控温法和温度梯度法。

         1）恒温器控温法：

         它是利用一般绝热的恒温器内的电阻丝加热来平衡液池冷量的。从而控制恒温器的温度（即样品温度）稳定在某个所需的温度下。通过恒温器位置升降及加热功率可使平衡温度升高或降低。这种控温方法的优点是控温精度较高，温度稳定时间长。但是，其测量装置比较复杂，并需要相应的温度控制系统。由于这种控温法是定点控制的，又称定点测量法。

         2）温度梯度法：

         它是利用杜瓦容器内，液面以上空间存在的温度梯度来取得所需温度的一种简便易行的控温方法，我们实验中采用此法。温度梯度法要求测试探头有较大的热容量及温度均匀性，并通过外加铜套使样品与外部环境隔离，减少样品温度波动。样品温度的控制则是靠在测量过程中改变探头在液氮容器内的位置来达到温度的动态平衡，故又称为连续测量法（即样品温度是连续下降或上升的），其优点是测量装置比较简单，不足之处是控温精度及温度均匀性不如定点测量法好。

         4．液面位置的确定：

         如上所述，样品温度的控制是靠调节测试探头在液氮中的位置来实现的。测试探头离液氮面的高低，决定了样品温度变化的快慢。对于金属液氮容器（又称金属杜瓦）来说，探头在容器中的位置是很难用肉眼观察的。而且实验过程中，液氮因挥发而使液面位置不断变化。因此为实现样品的温度控制，需要有能指示液氮位置的传感部件，或称“液面计”。由工作原理的不同，可有静液压液面计、热声振荡法液面计、电容法液面计和电阻法液面计等。而我们是采用温差电偶的测温差原理来判断液面位置的。用两支性能相同的温差电偶温度计，一支插入液氮中，而另一支固定在测试探头上，这两支电偶温度计有一个公共端。当探头与液面位置不在一起时，由于两者温度不同，测温差电动势时，数字电压表显示不为0；当探头与液面接触时，数字电压表显示接近为零。因此从数字电压表的显示数据可定性判断探头离液面的高低，或LN₂液面与探头的相对位置。

三．实验任务

1．测量Bi系超导带材的临界转变温度T_C 。

2．利用铂电阻温度计标定Si二极管温度计。

四．实验方法

1．T_C的测定

超导体既是完善导体，又是完全抗磁体，因此当超导体材料发生正常态到超导态转变时，电阻消失并且磁通从体内排出，这种电磁性质的显著变化是检测临界温度T_C的基本依据。测量方法一般是使样品温度缓慢改变并监测样品电性或磁性的变化，利用此温度与电磁性的转变曲线而确定T_C 。通常分为电测量法－四引线法和磁测法－电磁感应法。

1）   四引线法：

由于氧化物超导样品的室温电阻通常只有10^-1~10^-2W左右，而被测样品的电引线很细（为了减少漏热）、很长，而且测量的样品室的温度变化很大（从300K~77K），这样引线电阻较大而且不稳定。另外，引线与样品的连接也不可避免出现接触电阻。为了避免引线电阻和接触电阻的影响，实验中采用四线法（如图7所示），两根电源引线与恒流源相连，两根电压引线连至数字电压表，用来检测样品的电压。根据欧姆定律，即可得样品电阻，由样品尺寸可算出电阻率。从测得的R-T曲线可定出临界温度T_C 。

2）   电磁感应法

根据物理学的电磁感应原理，若有两个相邻的螺旋线圈，在一个线圈（称初级线圈）内通以频率为 w 的交流信号，则可在另一线圈（称次级线圈）内激励出同频率信号，此感应信号的强弱既与频率 w 有关，又与两线圈的互感M有关，对于一定结构的两线圈，其互感M由线圈的本身参数（如几何形状、大小、匝数）及线圈间的充填物的磁导率 m 有关。若在线圈间均匀充满磁导率为 m 的磁介质，则其互感会增大 m 倍。即

M = m M₀                                                  　　　　　　             （3）

式中M₀为无磁介质时的互感系数。按照法拉第定律，若初级线圈中通以电流强度I₀为1时，频率为 w 的正弦电流，次级线圈中感应信号U_out的大小与M及 w 成正比，即：

                                                             （4）

         由（4）式可知，若工作频率 w 一定，则U_out与M成正比，根据（3）式可得出次级线圈中感应信号的变化与充填材料磁化率变化有关，即

         DU_outµ Dm                                    　　　　　　　                                     （5）

高温超导材料在发生超导转变前可认为是顺磁物质m=1，当转变为超导体后，则为完全抗磁体（即m=0。如果在两线圈之间放入超导材料样品（见图8），当样品处于临界温度T_C时，样品的磁导率 m 则在1和0之间变化，从而使U_out发生突变。因此测量不同温度T时的次级线圈信号U_out变化（即U_out~T曲线）可测定超导材料的临界温度T_C 。

为了测量次级线圈的輸出信号，对信号进行整流、检波后接至直流数字电压表。             

2．Si二极管温度计的标定

将Si二极管固定于铂电阻温度计附近，为保证温度的一致性，Si二极管尽量与铂电阻温度计处在相同温度区域。对Si二极管同样采用“四引线”法：二根作为Si二极管的恒电流引线，二根作为测量正向电压的引线。

五．测量装置

测量系统方块如图9所示，它由测试探头、恒流源、信号源、温度元件及数字电压表等组成。测试探头中包括样品、初次级线圈、铂电阻温度计、Si二极管及引线板，这些元件都安装在均温块上（见图10）。待测样品放在两线圈之间，并在样品上引出四根引线供电阻测量用。各种信号引入与取出均通过引线板经由不锈钢管接至外接仪器。为测量次级线圈感应信号的大小，对信号进行整流检波后接至直流毫伏计。为保证样品温度与温度计温度的一致性，温度计要与样品有良好的热接触，样品处有良好的温度均匀区。铜套的作用是使样品与外部环境隔离，减少样品的温度波动。采用不锈钢管作为提拉杆及引线管是可减少漏热对样品的影响。

超导样品采用清华大学应用超导研究中心研制的Bi系高温超导线材。适当配比的Bi系超导氧化物粉末，填充到银套管内，通过挤压、拉拔、轧制等机械加工的方法形成线材，再进行多次反复热处理，形成超导相的结构。这种加工超导线材的方法称为粉末充管法（Oxide Powder In Tube，简称OPIT）。实验所用的超导线材的长度约1cm，截面积为3.4mm×0.2mm，采用四引线法接入测量系统中。

六．安全注意事项

1．安装或提拉测试探头时，必须十分仔细并注意探头在液氮中位置，防止滑落。

2．不要让液氮接触皮肤，以免造成冻伤。

3．如需观看探头内部结构，须在教师指导下进行。

4.测量B-H曲线，用示波器直接测出R₁上的电压值u₁（3.11.1）式和电容上电压值u_C（3.11.6）式。

5.由于R₁、R₂和C值不确定，仍需要用教材方法标定B₀、H₀，但是（3.11.7）、（3.11.9）式中L_x、L_y分别用标定时的电压u_x、u_y代替。u_x、u_y为电压的峰峰值。

数据记录表格

四引线法

样品尺寸：

电阻率：

电磁感应法

Si二极管温度计的标定

 

第二篇：实验2预习报告1

实验二  VLAN

【实验目的】

1. 加深理解VLAN组网技术

2. 掌握cisco交换机的基本操作命令

3. 掌握VLAN的创建、VLAN中继的配置方法

4. 掌握VLAN间路由典型的配置方法

5. 学会在交换机上创建管理节点的方法

【主要配置命令】

（一）交换机上主要VLAN配置、验证命令

vlan 参数   创建一个指定编号的vlan

name 参数  对当前的vlan命名（改名）

interface  参数   进入指定接口配置模式

switchport mode access  将当前接口的VLAN管理模式，设置为接入模式

switchport access  vlan 参数 将当前接口划分到指定的vlan中

switchport mode trunk  将当前接口的VLAN管理模式，设置为中继模式

switchport trunk nativie vlan 参数 设置当前接口的本征vlan属性（对中继接口有效）

switchport trunk allowed vlan 参数 设置当前接口能中继的vlan列表(对中继接口有效）

interface vlan 参数 在指定的vlan上创建一个逻辑节点（接口），有两个身份，名字为VLAN加上的所在vlan的编号。 作为逻辑节点，它有自己的MAC地址、IP地址（需要设置），可以跟其它节点通信，通常用于网络管理；作为接口，用于内部配置，对于三层交换机可作为路由接口用。

Show vlan brief  以简表形式显示设备内所划分的vlan

Show interfaces 参数 switchport  显示指定接口的有关vlan方面的配置属性值

Show interfaces trunk  显示当前的设备中的中继接口

（二）路由器上子接口的创建、VLAN协议封装命令

interface  参数1.参数2  创建或进入指定路由器接口的某个子接口，参数1为某个物理接口的名称，参数2为子接口号

encapsulation  dot1q  参数 指定当前子接口使用中继协议802.1q通信、指定该接口所属的vlan

（三）已经学过的基本配置命令（适用于路由器、交换机）

no   参数表  取消某操作命令，后面的参数为前面某次所执行过的命令行

configure terminal 进入终端配置模式

copy running-config startup-config 把内存中的配置文件保存到NVRAM 中

enable  进入特权模式

exit  由当前模式退出到上层模式

end   退出到特权模式

hostname 设置主机的名字

interface  参数   进入指定路由器接口配置模式

ip address 参数表    设置接口的ip地址

no shutdown    激活网络接口

show running-config  显示内存中的配置文件

show interfaces 参数 显示接口的信息

ip route 参数表     添加静态路由

show ip route   查看路由表

ping  参数      网络连通测试，参数为目标节点

traceroute 参数 路由跟踪测试（对于windows主机命令为tracert），参数为目标节点

【设计任务】

     在仿真器中实现如下拓扑网络设计, 并完成连通测试。

其中：

R1为路由器、S1与S2为二层交换机、S0为三层交换机、P1-P4为PC机、NMW为网管工作站。

【设计要求】

1.需要建立三个VLAN如下：

vlan 99 management & control（管理VLAN、本征VLAN）

vlan 2 staff （员工VLAN）

vlan 3 students（学员VLAN）

2. 交换机网管IP地址

交换机S1网管IP：192.168.99.1/24

交换机S2网管IP：192.168.99.2/24

3. 网管工作站能对交换机S1、S2进行远程管理

4. 先采用单臂路由技术，实现VLAN间的设备可以互相访问

5. 再采用三层交换技术，实现VLAN间的设备可以互相访问

6.将具体的配置步骤、验证结果（有关的show命令与显示内容）、测试数据（ping测试或tracert测试）记入实验报告中；对有关问题进行相应的分析或探讨，并记录到实验报告中。

【实验步骤】

（一）    分析拓扑图

（二）在仿真器中画出网络拓扑图

（三）完成主机端网络参数配置

主机名、接口ip地址、子网掩码、网关

P1  VLAN2 192.168.2.1/24 192.168.2.254

P2  VLAN2 192.168.2.2/24 192.168.2.254

P3  VLAN3 192.168.3.1/24 192.168.3.254

P4  VLAN3 192.168.3.2/24 192.168.3.254

NMW  VLAN99 192.168.99.99/24 192.168.99.254

（四）VLAN、VLAN中继配置、验证与测试

1.      S1上的配置

（1）    给设备命名

     在全局配置模式下：

     hostname  s1

（2）    创建VLAN 2、划分成员接口、验证配置

     在全局配置模式下：

     vlan  2

     name staff

     exit

     interface  f0/2

     switchport mode access

     switchport access vlan 2

     end

     show vlan brief

     show interface f0/2 switchport

（3）    创建VLAN 3、划分成员接口、验证配置

vlan  3

     name students

     exit

     interface  f0/3

     switchport mode access

     switchport access vlan 3

     end

     show vlan brief

     show interface f0/3 switchport

（4）    创建VLAN 99、划分成员接口、验证配置

 vlan  99

     name management & control

     exit

     interface  f0/4

     switchport mode access

     switchport access vlan 4

     end

     show vlan brief

     show interface f0/4 switchport

（5）    配置中继接口F0/1（管理方式、本征VLAN、所属VLAN）

     在全局配置模式下：

     interface  f0/1

     switchport  mode  trunk

     switchport  trunk  natitive  vlan  99

switchport  trunk  allowed  vlan  2, 3, 99

（6）    验证中继配置

在特权模式下：

show interfaces trunk

show interface f0/1 switchport

2.      S0上的配置 类似S1

（1）    给设备命名

（2）    创建VLAN 2

（3）    创建VLAN 3

（4）    创建VLAN 99、验证配置

（5）    配置中继接口F0/1（管理方式、本征VLAN、所属VLAN）

（6）    配置中继接口F0/2（管理方式、本征VLAN、所属VLAN）

（7）    验证中继配置

3.      S2上的配置       类似S1

（1）    给设备命名

（2）    创建VLAN 2、划分成员接口、验证配置

（3）    创建VLAN 3、划分成员接口、验证配置

（4）    创建VLAN 99

（5）    配置中继接口F0/1（管理方式、本征VLAN、所属VLAN）

（6）    验证中继配置

（五）网管节点建立于测试

1．S1上的配置

（1）    创建逻辑接口VLAN99、配置IP地址、激活接口

在全局配置模式下：

interface vlan 99

ip address 192.168.99.1 255.255.255.0

no shutdown

（2）    *配置缺省网关

在全局配置模式下：

      ip default-gateway 192.168.99.254

（3）    配置远程访问终端（支持telnet访问）

在全局配置模式下：

     Line vty 0 15       //创建16个远程访问终端

     Password  123456  //设定远程登录口令

     privilege level 15    //设定管理权限，15为管理员级

     transport input telnet  //设定远程登录可以使用的协议

     login     //指定远程登录时，需要核对口令

2．S2上的配置

（1）    创建逻辑接口VLAN99、配置IP地址、激活接口

（2）    *配置缺省网关

（3）    配置远程访问终端（支持telnet访问）

在全局配置模式下：

      创建2个远程访问终端

      设定远程登录口令为abc

      设定管理权限为管理员级

      设定远程登录可以使用的协议为telnet

      指定远程登录时，需要核对口令

3．在nmw上进行访问测试

（1）    使用telnet工具，登录到S1，登录口令为123456

（2）    使用telnet工具，登录到S2

（六）单臂路由方案的实施

1. S0上的设置

（1）    将接口F0/3设置成中继模式

（2）    设置该口相应的本征vlan属性

（3）    设置该口相应的所属vlan列表属性

（4）    验证中继配置

2. R1上的设置

（1）    给设备命名

（2）    创建子接口f0/0.2、设置ip、指定中继协议802.1q和vlanID；

在全局配置模式下：

interface f0/0.2

ip address 192.168.2.254  255.255.255.0

encapsulation dot1q  2

no shutdown

（3）    创建子接口f0/0.2、设置ip、指定中继协议802.1q和vlanID；

（4）    创建子接口f0/0.2、设置ip、指定中继协议802.1q和vlanID；

（5）    激活接口f0/0

（6）    显示路由表

在特权模式下：

show ip route

3. 访问测试

  例：从主机P3到主机P2作ping测试或路由跟踪测试

（七）基于三层交换路由方案实施

1. R1上的设置

  关闭接口f0/0(避免影响)

2. S0上的设置

（1）    创建逻辑接口VLAN2、设置ip；

在全局配置模式下：

interface  vlan  2

ip address  192.168.2.254  255.255.255.0

no shutdown

（2）    创建逻辑接口VLAN3、设置ip；

（3）    创建逻辑接口VLAN99、设置ip；

（4）    显示路由表

（5）    显示配置文件

3. 访问测试

    例：从主机P3到主机P2作ping测试；

例：从网管工作站nmw到主机P2作路由跟踪测试